Fabricación de detectores semiconductores de Si(Li) para reacciones nucleares

Se presenta un método para la fabricación de detectores de estado sólido de Si (Li) usando nuevas técnicas para control de profundidad de la zona de compensación total y para control automático del proceso de drift. Se dan algunas características de los detectores fabricados.

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Erramuspe, H.J.
Formato: Informe Técnico
Publicado: Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA) 2017
Materias:
INFORMES
Aporte de:
Nuclea - Repositorio Institucional de la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA) de Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA)
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