Fil: Christodoulides, C. E. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
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| Formato: | ARTÍCULO CIENTÍFICO Versión publicada |
| Lenguaje: | Inglés |
| Publicado: |
Gordon and Breach Science
1978
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| Acceso en línea: | https://www.cnea.gob.ar/nuclea/handle/10665/1953 |
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I64-R170-10665-19532022-10-20T11:46:53Z The recrystallization of ion-implanted silicon layers. II: Implant species effect. Christodoulides, C. E. Baragiola, R. A. Chivers, D. Grant, W. A. Williams, J. S. RECRYSTALLIZATION ION IMPLANTATION SILICON IMPLANTS RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY POLYCRYSTALS Fil: Christodoulides, C. E. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Baragiola, R. A. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Chivers, D. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Grant, W. A. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Williams, J. S. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Gordon and Breach Science 1978 ARTÍCULO CIENTÍFICO Versión publicada application/pdf https://www.cnea.gob.ar/nuclea/handle/10665/1953 eng Radiation effects V 36 1978 |
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Nuclea - Repositorio Institucional de la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA) |
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The recrystallization of ion-implanted silicon layers. II: Implant species effect. RECRYSTALLIZATION ION IMPLANTATION SILICON IMPLANTS RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY POLYCRYSTALS Christodoulides, C. E. Baragiola, R. A. Chivers, D. Grant, W. A. Williams, J. S. |
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