Resistive switching in rectifying interfaces of metal-semiconductor-metal structures

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Zazpe, R., Stoliar, P., Golmar, F., Llopis, R., Casanova, F., Hueso, L.E., CIC nanoGUNE. Donostia – San Sebastián, ES, IMN, Universite de Nantes. CNRS. Nantes, FR, Escuela de Ciencia y Tecnología. ECyT, UNSAM. San Martín, pcia. de Bs As, AR, INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires, AR, IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao, ES
Formato: article
Lenguaje:Inglés
Publicado: American Institute of Physics 2013
Materias:
Semiconductores
Metales
Propiedades eléctricas
Resistencia eléctrica
Interfaces
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH4b57.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI

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