Electronic transport in sub-micron square area organic field-effect transistors

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Golmar, F., Stoliar, P., Gobbi, M., Casanova, F., Hueso, L. E., CIC nanoGUNE Consolider. Donostia – San Sebastián, ES, INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires, AR, Laboratoire de Physique des Solids. LPS, CNRS. Orsay, FR, Escuela de Ciencia y Tecnología. Universidad Nacional de San Martín. ECyT, UNSAM. San Martín, Pcia. de Buenos Aires. AR, IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao, ES
Formato: article
Lenguaje:Inglés
Publicado: American Institute of Physics 2013
Materias:
Transistores
Semiconductores
Nanoestructuras
Dispositivos electrónicos
Campo eléctrico
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH1915.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI
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