Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Real, Mariano, Tonina, A., Elmquist, Randolph E., Lass, Eric A., Liu, Fan-Hung, Soons, Johannes A., INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US, TecnoINTI 2013
Formato: conferenceObject
Lenguaje:Español
Publicado: INTI 2013
Materias:
Resistencia eléctrica
Mediciones eléctricas
Difusión
Crecimiento
Morfología
Superficies
Grafito
Ensayos
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH01f9/4c4a8245.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI

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