Análisis y simulación de un inversor trifásico de tres niveles anclado por diodos aplicado en una red de media tensión

En el presente trabajo se desarrolla el análisis del inversor trifásico de 200 KVA, VSI (voltage source inverter) de tres niveles anclado por diodos con serie de dos dispositivos de conmutación IGBT para cada nivel, conectado a transformador de 200 KVA 6350/380-220 V, aplicado en línea media tensión...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Ruiz, Roberto Ricardo, Torres, Martín Alejandro, Marighetti, Jorge Omar, De Bortoli, Mario Eduardo
Formato: Congreso
Lenguaje:Español
Publicado: Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Resistencia 2024
Materias:
Acceso en línea:http://repositorio.unne.edu.ar/handle/123456789/55170
Aporte de:
Descripción
Sumario:En el presente trabajo se desarrolla el análisis del inversor trifásico de 200 KVA, VSI (voltage source inverter) de tres niveles anclado por diodos con serie de dos dispositivos de conmutación IGBT para cada nivel, conectado a transformador de 200 KVA 6350/380-220 V, aplicado en línea media tensión de 16000 Vcc para distribución urbana de energía. Las topologías de mayores niveles en inversores DC/AC presentan la ventaja de reducir las variaciones de tensión en las llaves de conmutación y mejorar el perfil de la tensión alterna sintetizada. A partir del modelo matemático de los elementos que intervienen en el circuito, se realiza un análisis de operación del inversor a través de simulación numérica, considerando un control P-PI multilazo y condiciones de carga límite para evaluar su comportamiento. De los resultados obtenidos, tanto en régimen transitorio como en permanente, se observa un óptimo funcionamiento de la aplicación bajo las condiciones de operación asumidas.