Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos

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Las aleaciones Hg1-xCdxTe, MCT(x), constituyen desde hace más de cuatro décadas los materiales más importantes para la fabricación de fotodetectores de radiación infrarroja sensibles en el intervalo 1–30 μm. El material utilizado para la fabricación de esos dispositivos debe ser monocristalino y, da...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Gilabert, Ulises Eduardo
Otros Autores: Trigubó, Alicia B.
Formato: Tesis doctoral publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales 2007
Materias:
SEMICONDUCTORES II-VI
HGCDTE
MCT
PELICULAS EPITAXIALES
CINETICA DE CRECIMIENTO
CDTE
CDZNTE
CDTESE
DISLOCACIONES PASANTES
DISLOCACIONES DE DESAJUSTE
PROPIEDADES ELECTRICAS
II-VI SEMICONDUCTORS
ISOVPE
EPITAXIAL FILMS
GROWTH KINETICS
THREADING DISLOCATIONS
MISFIT DISLOCATIONS
ELECTRICAL PROPERTIES
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n4167_Gilabert
http://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n4167_Gilabert_oai
Aporte de:
Repositorio Digital de la Universidad de Buenos Aires (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id I28-R145-tesis_n4167_Gilabert_oai
record_format dspace
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-145
collection Repositorio Digital de la Universidad de Buenos Aires (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
topic SEMICONDUCTORES II-VI
HGCDTE
MCT
PELICULAS EPITAXIALES
CINETICA DE CRECIMIENTO
CDTE
CDZNTE
CDTESE
DISLOCACIONES PASANTES
DISLOCACIONES DE DESAJUSTE
PROPIEDADES ELECTRICAS
II-VI SEMICONDUCTORS
HGCDTE
MCT
ISOVPE
EPITAXIAL FILMS
GROWTH KINETICS
CDTE
CDZNTE
CDTESE
THREADING DISLOCATIONS
MISFIT DISLOCATIONS
ELECTRICAL PROPERTIES
spellingShingle SEMICONDUCTORES II-VI
HGCDTE
MCT
PELICULAS EPITAXIALES
CINETICA DE CRECIMIENTO
CDTE
CDZNTE
CDTESE
DISLOCACIONES PASANTES
DISLOCACIONES DE DESAJUSTE
PROPIEDADES ELECTRICAS
II-VI SEMICONDUCTORS
HGCDTE
MCT
ISOVPE
EPITAXIAL FILMS
GROWTH KINETICS
CDTE
CDZNTE
CDTESE
THREADING DISLOCATIONS
MISFIT DISLOCATIONS
ELECTRICAL PROPERTIES
Gilabert, Ulises Eduardo
Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos
topic_facet SEMICONDUCTORES II-VI
HGCDTE
MCT
PELICULAS EPITAXIALES
CINETICA DE CRECIMIENTO
CDTE
CDZNTE
CDTESE
DISLOCACIONES PASANTES
DISLOCACIONES DE DESAJUSTE
PROPIEDADES ELECTRICAS
II-VI SEMICONDUCTORS
HGCDTE
MCT
ISOVPE
EPITAXIAL FILMS
GROWTH KINETICS
CDTE
CDZNTE
CDTESE
THREADING DISLOCATIONS
MISFIT DISLOCATIONS
ELECTRICAL PROPERTIES
description Las aleaciones Hg1-xCdxTe, MCT(x), constituyen desde hace más de cuatro décadas los materiales más importantes para la fabricación de fotodetectores de radiación infrarroja sensibles en el intervalo 1–30 μm. El material utilizado para la fabricación de esos dispositivos debe ser monocristalino y, dadas las dificultades encontradas en el crecimiento por métodos masivos, resulta conveniente recurrir a los métodos epitaxiales. En este trabajo se describe la obtención y caracterización de películas monocristalinas de MCT (x ≅ 0,2) por la técnica de Crecimiento Isotérmico en Fase Vapor o “Isothermal Vapor Phase Epitaxy” (ISOVPE). Se utilizaron como sustratos CdTe, Cd1-vZnvTe y CdTe1-wSew con distintas orientaciones cristalinas: (111)Cd, (111)Te, (110) y (100). La caracterización estructural de los sustratos y las películas se realizó mediante revelado químico de dislocaciones, difracción de rayos X de polvo y monocristal y microscopías óptica y electrónica de barrido. La composición química se determinó mediante una microsonda electrónica dispersiva en longitudes de onda y las propiedades eléctricas por mediciones de efecto Hall. Las películas obtenidas resultaron de muy buena calidad y aptas para ser utilizadas en detectores fotovoltaicos. En particular, las epitaxias crecidas sobre los sustratos ternarios mostraron mejor calidad cristalina. Se estudió tanto la cinética de crecimiento como los procesos de generación y movimiento de las dislocaciones de desajuste mediante la contrastación entre los resultados experimentales y diversas simulaciones. En particular, se evaluó la influencia de los aleantes presentes en los sustratos en esos procesos.
author2 Trigubó, Alicia B.
author_facet Trigubó, Alicia B.
Gilabert, Ulises Eduardo
format Tesis doctoral
Tesis doctoral
publishedVersion
author Gilabert, Ulises Eduardo
author_sort Gilabert, Ulises Eduardo
title Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos
title_short Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos
title_full Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos
title_fullStr Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos
title_full_unstemmed Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos
title_sort estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de hg1-xcdxte crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos
publisher Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
publishDate 2007
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n4167_Gilabert
http://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n4167_Gilabert_oai
work_keys_str_mv AT gilabertuliseseduardo estudiodelaspropiedadessuperficialeseinterfasialesdepeliculasmonocristalinasdehg1xcdxtecrecidasenfasevaporsobredistintossustratos
AT gilabertuliseseduardo studyofthesurfaceandinterphasialpropertiesofhg1xcdxtesinglecrystallinefilmsgrownbyvaporphaseondifferentsubstrates
_version_ 1782032413324476416
spelling I28-R145-tesis_n4167_Gilabert_oai2023-08-03 Trigubó, Alicia B. Walsöe de Reca, Noemí E. Gilabert, Ulises Eduardo 2007 Las aleaciones Hg1-xCdxTe, MCT(x), constituyen desde hace más de cuatro décadas los materiales más importantes para la fabricación de fotodetectores de radiación infrarroja sensibles en el intervalo 1–30 μm. El material utilizado para la fabricación de esos dispositivos debe ser monocristalino y, dadas las dificultades encontradas en el crecimiento por métodos masivos, resulta conveniente recurrir a los métodos epitaxiales. En este trabajo se describe la obtención y caracterización de películas monocristalinas de MCT (x ≅ 0,2) por la técnica de Crecimiento Isotérmico en Fase Vapor o “Isothermal Vapor Phase Epitaxy” (ISOVPE). Se utilizaron como sustratos CdTe, Cd1-vZnvTe y CdTe1-wSew con distintas orientaciones cristalinas: (111)Cd, (111)Te, (110) y (100). La caracterización estructural de los sustratos y las películas se realizó mediante revelado químico de dislocaciones, difracción de rayos X de polvo y monocristal y microscopías óptica y electrónica de barrido. La composición química se determinó mediante una microsonda electrónica dispersiva en longitudes de onda y las propiedades eléctricas por mediciones de efecto Hall. Las películas obtenidas resultaron de muy buena calidad y aptas para ser utilizadas en detectores fotovoltaicos. En particular, las epitaxias crecidas sobre los sustratos ternarios mostraron mejor calidad cristalina. Se estudió tanto la cinética de crecimiento como los procesos de generación y movimiento de las dislocaciones de desajuste mediante la contrastación entre los resultados experimentales y diversas simulaciones. En particular, se evaluó la influencia de los aleantes presentes en los sustratos en esos procesos. During the past four decades, Hg1-xCdxTe (MCT) have become the most important material for the middle and long wavelength (3 μm < λ < 30 μm) IR photodetectors. MCT must be single crystalline for IR photodetector applications. Due to the difficulties found in the growth by massive methods it turns out advisable to get the crystalline material by epitaxial methods. This Thesis describes the growth of MCT (x ≅ 0,2) epitaxial films by the Isothermal Vapor Phase Epitaxy (ISOVPE) technique with no mercury overpressure. The growth was accomplished on CdTe, Cd1-vZnvTe and CdTe1-wSew substrates with different crystallographic orientations: (111)Cd,(111)Te, (110) and (100). The substrates and films structural characterization was performed by surface chemical etching, powder and single crystal X ray diffraction and optical and scanning electron microscopy. Chemical composition analysis was performed by an electron microprobe in the wavelength dispersive spectroscopic mode and electrical characterization by Hall effect measurements. The high quality of the epitaxial films makes them adequate to be used for photovoltaic detectors. The films grown on the ternary substrates showed a better crystalline quality. This fact could determine better electrical properties for devices. The epitaxial growth kinetics as well as the dislocation generation and movement processes were analyzed by means of the comparison between the experimental results and diverse simulations. The influence of the alloying elements that are present in the substrates was particularly evaluated in those processes. Fil: Gilabert, Ulises Eduardo. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina. application/pdf https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n4167_Gilabert spa Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar SEMICONDUCTORES II-VI HGCDTE MCT PELICULAS EPITAXIALES CINETICA DE CRECIMIENTO CDTE CDZNTE CDTESE DISLOCACIONES PASANTES DISLOCACIONES DE DESAJUSTE PROPIEDADES ELECTRICAS II-VI SEMICONDUCTORS HGCDTE MCT ISOVPE EPITAXIAL FILMS GROWTH KINETICS CDTE CDZNTE CDTESE THREADING DISLOCATIONS MISFIT DISLOCATIONS ELECTRICAL PROPERTIES Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos Study of the surface and interphasial properties of Hg1-xCdxTe single crystalline films grown by vapor phase on different substrates info:eu-repo/semantics/doctoralThesis info:ar-repo/semantics/tesis doctoral info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n4167_Gilabert_oai

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