Crecimiento y caracterización de heteroestructuras basadas en semiconductores III-V
En este trabajo presentamos el crecimiento y la caracterización de muestras epitaxiales basadas en materiales semiconductores III-V crecidos por epitaxia de haces moleculares (MBE). En particular presentamos resultados de caracterización de composici ón de Al_xGa_1-xAs en el rango 0 < x < 0...
Guardado en:
| Autor principal: | González, Manuel |
|---|---|
| Formato: | Tesis NonPeerReviewed |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2020
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/934/1/Gonzalez_M.pdf |
| Aporte de: |
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