Crecimiento y caracterización de heteroestructuras basadas en semiconductores III-V

En este trabajo presentamos el crecimiento y la caracterización de muestras epitaxiales basadas en materiales semiconductores III-V crecidos por epitaxia de haces moleculares (MBE). En particular presentamos resultados de caracterización de composici ón de Al_xGa_1-xAs en el rango 0 < x < 0...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: González, Manuel
Formato: Tesis NonPeerReviewed
Lenguaje:Español
Publicado: 2020
Materias:
Acceso en línea:http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/934/1/Gonzalez_M.pdf
Aporte de:
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Epitaxy
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description En este trabajo presentamos el crecimiento y la caracterización de muestras epitaxiales basadas en materiales semiconductores III-V crecidos por epitaxia de haces moleculares (MBE). En particular presentamos resultados de caracterización de composici ón de Al_xGa_1-xAs en el rango 0 < x < 0.5. A través de un novedoso análisis basado en el uso de un amplio rango de técnicas experimentales sobre una misma serie de muestras logramos mejorar la determinación de composición con incertezas absolutas menores al 1 %. Mostramos evidencia de que la determinación de composición basada en espectroscopía Raman presenta severas inconsistencias. Nuestros resultados muestran claramente que el espectro de dispersión Raman no está unívocamente determinado por la composición en este sistema material, como es supuesto en gran parte de la literatura. El conjunto de estos resultados provee información respecto a muchas de las discrepancias en los datos reportados en la literatura sobre este sistema material que ha sido ampliamente estudiado. La realización de este trabajo de tesis implicó la participación en el proceso de instalación y puesta en marcha de un sistema MBE, único en la Argentina. Presentamos detalles del funcionamiento del equipo, así como también algunos puntos claves para su correcta operación. En base a los resultados de composición de Al_xGa_1-xAs ya mencionados, pudimos obtener una calibración precisa que nos permite relacionar los parámetros de crecimiento de las muestras con sus propiedades ópticas y electronicas. El crecimiento de heteroestructuras semiconductoras epitaxiales permite el desarrollo de dispositivos complejos de gran interés tecnológico. Con esto en mente, crecimos y caracterizamos muestras de complejidad creciente, lo cual nos permitió avanzar signi- cativamente en el desarrollo de dispositivos, en particular láseres de cascada cuántica. Por último, presentamos el desarrollo de los procesos de postfabricación necesarios para pasar de una muestra crecida por MBE a un dispositivo funcional.
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