Crecimiento y caracterización de heteroestructuras basadas en semiconductores III-V
En este trabajo presentamos el crecimiento y la caracterización de muestras epitaxiales basadas en materiales semiconductores III-V crecidos por epitaxia de haces moleculares (MBE). En particular presentamos resultados de caracterización de composici ón de Al_xGa_1-xAs en el rango 0 < x < 0...
Guardado en:
| Autor principal: | |
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| Formato: | Tesis NonPeerReviewed |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2020
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/934/1/Gonzalez_M.pdf |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo presentamos el crecimiento y la caracterización de muestras epitaxiales
basadas en materiales semiconductores III-V crecidos por epitaxia de haces
moleculares (MBE). En particular presentamos resultados de caracterización de composici
ón de Al_xGa_1-xAs en el rango 0 < x < 0.5. A través de un novedoso análisis
basado en el uso de un amplio rango de técnicas experimentales sobre una misma serie
de muestras logramos mejorar la determinación de composición con incertezas absolutas
menores al 1 %. Mostramos evidencia de que la determinación de composición
basada en espectroscopía Raman presenta severas inconsistencias. Nuestros resultados
muestran claramente que el espectro de dispersión Raman no está unívocamente determinado
por la composición en este sistema material, como es supuesto en gran parte
de la literatura. El conjunto de estos resultados provee información respecto a muchas
de las discrepancias en los datos reportados en la literatura sobre este sistema material
que ha sido ampliamente estudiado.
La realización de este trabajo de tesis implicó la participación en el proceso de
instalación y puesta en marcha de un sistema MBE, único en la Argentina. Presentamos
detalles del funcionamiento del equipo, así como también algunos puntos claves para
su correcta operación. En base a los resultados de composición de Al_xGa_1-xAs ya
mencionados, pudimos obtener una calibración precisa que nos permite relacionar los
parámetros de crecimiento de las muestras con sus propiedades ópticas y electronicas.
El crecimiento de heteroestructuras semiconductoras epitaxiales permite el desarrollo
de dispositivos complejos de gran interés tecnológico. Con esto en mente, crecimos y
caracterizamos muestras de complejidad creciente, lo cual nos permitió avanzar signi-
cativamente en el desarrollo de dispositivos, en particular láseres de cascada cuántica.
Por último, presentamos el desarrollo de los procesos de postfabricación necesarios para
pasar de una muestra crecida por MBE a un dispositivo funcional. |
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