Caracterización optoelectrónica y modelado de celdas solares de Cu(In, Ga)Se_2.
Aunque las celdas solares de Cu(In,Ga)Se_2 poseen el mayor rendimiento de las celdas solares de lámina delgada, aún se desconocen parámetros fundamentales del material. Modelos que consideren su compleja combinación de heteroestructuras semiconductoras, gradientes de composición y características p...
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Lenguaje: | Español |
Publicado: |
2011
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Acceso en línea: | http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/326/1/1Troviano.pdf |
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I25-R131-3262012-12-13T12:01:46Z Caracterización optoelectrónica y modelado de celdas solares de Cu(In, Ga)Se_2. Optoelectrónic characterization and modelling of Cu(In,Ga)Se_2 solar cells. Troviano, Mauricio Energía Física de materiales Solar cells Celulas solares Numeric model Modelado numérico Internal quantum efficiency Eficiencia cuántica interna Optoelectronic characterization Caracterización optoelectrónica Aunque las celdas solares de Cu(In,Ga)Se_2 poseen el mayor rendimiento de las celdas solares de lámina delgada, aún se desconocen parámetros fundamentales del material. Modelos que consideren su compleja combinación de heteroestructuras semiconductoras, gradientes de composición y características policristalinas, permitirían hallar estrategias para optimizar su diseño y preparación. En este trabajo se modelan celdas solares de Cu(In,Ga)Se_2 considerando su característica policristalina y los gradientes de composición. Partiendo de simulaciones bidimensionales, se hallan expresiones simplificadas, las cuales logran reproducir curvas de eficiencia cuántica y tensión-corriente obtenidas experimentalmente, permitiendo la extracción de parámetros físicos y estructurales del material. Principalmente, se hallan la longitud de difusión de portadores, el gap de energía mínimo y la energía característica de las bandas de defectos en celdas de alto rendimiento. Mediciones de eficiencia cuántica interna en función de la temperatura permiten, adicionalmente, hallar la energía de trampas profundas de portadores que limitan el rendimiento de las celdas Although Cu(In,Ga)Se2 solar cells yield the highest efficiency of thin film solar cells, several fundamental parameters of the device are still unknown. Models that consider the complex combination of semiconductor heterostructures, composition gradients and polycrystalline characteristics could lead to strategies to optimize their preparation and design. In this work, Cu(In,Ga)Se2 solar cells are modeled considering their polycrystallinity and composition profiles. Based on two-dimensional simulations, simplified expressions are obtained, which enable the extraction of physical and structural parameters of the material. Mainly, the carrier diffusion length, the minimum bandgap and the band tail energy are found. Additionally, measurements of temperature-dependent internal quantum efficiency allow to find the energy of deep-defect states that limit the efficiency of solar cells. 2011-09-26 Tesis NonPeerReviewed application/pdf http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/326/1/1Troviano.pdf es Troviano, Mauricio (2011) Caracterización optoelectrónica y modelado de celdas solares de Cu(In, Ga)Se_2. / Optoelectrónic characterization and modelling of Cu(In,Ga)Se_2 solar cells. Tesis Doctoral en Ciencias de la Ingeniería, Universidad Nacional de Cuyo, Instituto Balseiro. http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/326/ |
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Repositorio Institucional Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro (RICABIB) |
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Aunque las celdas solares de Cu(In,Ga)Se_2 poseen el mayor rendimiento de las celdas solares de lámina delgada, aún se desconocen parámetros fundamentales del material. Modelos que consideren su compleja combinación de heteroestructuras semiconductoras, gradientes de composición y características policristalinas, permitirían hallar estrategias para optimizar su diseño y preparación. En este trabajo se modelan celdas solares de Cu(In,Ga)Se_2 considerando su característica policristalina y los gradientes de composición. Partiendo de simulaciones bidimensionales, se hallan expresiones simplificadas, las cuales logran reproducir curvas de eficiencia cuántica y tensión-corriente obtenidas experimentalmente, permitiendo la extracción de parámetros físicos y estructurales del material. Principalmente, se hallan la longitud de difusión de portadores, el gap de energía mínimo y la energía característica de las bandas de defectos en celdas de alto rendimiento. Mediciones de eficiencia cuántica interna en función de la temperatura permiten, adicionalmente, hallar la energía de trampas profundas de portadores que limitan el rendimiento de las celdas |
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