Propiedades magnéticas de materiales 2D
En esta tesis se han estudiado las propiedades magnéticas en materiales 2D tales como grafeno o siliceno. En primer lugar se analizaron las oscilaciones magnéticas (OM) que ocurren a bajas temperaturas en presencia de un fuerte campo magnético perpendicular. Para el estado fundamental se desarrol...
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Autor principal: | |
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Otros Autores: | |
Formato: | tesis doctoral |
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
2020
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Materias: | |
Acceso en línea: | http://repositoriodigital.uns.edu.ar/handle/123456789/5554 |
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Física Magnetismo Grafenos Escudero, Federico Nahuel Propiedades magnéticas de materiales 2D |
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En esta tesis se han estudiado las propiedades magnéticas en materiales 2D tales
como grafeno o siliceno. En primer lugar se analizaron las oscilaciones magnéticas
(OM) que ocurren a bajas temperaturas en presencia de un fuerte campo
magnético perpendicular. Para el estado fundamental se desarrolló un formalismo
general que permite describir las propiedades de las OM, tales como su
frecuencia y amplitud, en función de los parámetros externos y las propiedades
de los materiales 2D. Se demostró que las características únicas de los sistemas
bidimensionales, tales como el comportamiento relativista de los electrones a bajas
energías, se ven directamente reflejadas en el per l de las OM. Esto permite
mapear sus propiedades mediante un análisis detallado de las oscilaciones en la
magnetización. Los efectos de decaimiento, tales como temperatura fi nita o impurezas
en el sistema, también son tenidos en cuenta. Para ello se desarrolló un
nuevo enfoque, alternativo a la tradicional fórmula de Lifshitz-Kosevich, el cual
permite describir en detalle cómo el incremento de los efectos de decaimiento
reduce progresivamente los detalles nos en las OM, y por lo tanto la capacidad
de extraer información a partir de éstas. Por otra parte, se estudió la formación
de momentos magnéticos locales en impurezas metálicas adsorbidas en la red de
grafeno. Se analizó cómo la aparición de magnetismo en la impureza depende del
sitio de adsorción en la red (top o hollow). A su vez, se estudió la posibilidad de
manipular los momentos magnéticos al variar el nivel de Fermi mediante un gate
voltage, lo cual puede ser útil para aplicaciones en la espintrónica. |
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Jasen, Paula Verónica |
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