Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
En esta tesis se investigó el crecimiento de AlN sobre sus-tratos de zafiro por el método MOVPE para su posterior utilización como pseudo-substrato en la fabricación de tran-sistores de alta movilidad de electrones (HEMT). Los experi-mentos de crecimiento se llevaron a cabo a 50 − 100 hPa y una temp...
Guardado en:
| Autor principal: | Ferreyra, Romualdo A. |
|---|---|
| Otros Autores: | Juan, Alfredo |
| Formato: | tesis doctoral |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2010
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://repositoriodigital.uns.edu.ar/handle/123456789/2223 |
| Aporte de: |
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