Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas

En esta tesis se investigó el crecimiento de AlN sobre sus-tratos de zafiro por el método MOVPE para su posterior utilización como pseudo-substrato en la fabricación de tran-sistores de alta movilidad de electrones (HEMT). Los experi-mentos de crecimiento se llevaron a cabo a 50 − 100 hPa y una temp...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Ferreyra, Romualdo A.
Otros Autores: Juan, Alfredo
Formato: tesis doctoral
Lenguaje:Español
Publicado: 2010
Materias:
III-nitruros
semiconductores
interfaces
epitaxis
HFETS
Acceso en línea:http://repositoriodigital.uns.edu.ar/handle/123456789/2223
Aporte de:
Repositorio Institucional Universidad Nacional del Sur (UNS) de Universidad Nacional del Sur
id I20-R126123456789-2223
record_format dspace
institution Universidad Nacional del Sur
institution_str I-20
repository_str R-126
collection Repositorio Institucional Universidad Nacional del Sur (UNS)
language Español
orig_language_str_mv spa
topic III-nitruros
semiconductores
interfaces
epitaxis
HFETS
spellingShingle III-nitruros
semiconductores
interfaces
epitaxis
HFETS
Ferreyra, Romualdo A.
Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
topic_facet III-nitruros
semiconductores
interfaces
epitaxis
HFETS
description En esta tesis se investigó el crecimiento de AlN sobre sus-tratos de zafiro por el método MOVPE para su posterior utilización como pseudo-substrato en la fabricación de tran-sistores de alta movilidad de electrones (HEMT). Los experi-mentos de crecimiento se llevaron a cabo a 50 − 100 hPa y una temperatura 950 − 1200 ◦C. Como precursores del grupo III y grupo V y gas portador se utilizaron TMAl, NH3, N2 y/o H2, respectivamente. La evaluación de la calidad de las películas se realizó ópticamente por reflectometría in-situ, estructuralmente mediante mediciones de difracción de ra-yos-X y morfológicamente por mediciones AFM y SEM. Se estudiaron principalmente dos tipos de estrategia de creci-miento, en una etapa y en dos etapas. Para ambas estrate-gias de crecimiento se estudió la influencia de la configuración de entrada (convencional - invertida) de los gases (precur-sores) al reactor. El impacto de la presión parcial de los pre-cursores del grupo III y grupo V a V/III constante se estudió para el caso de la estrategia de crecimiento en una etapa. En el caso del crecimiento de AlN en dos etapas se investigó el efecto del tiempo de nucleación a temperatura constante de 950 ◦C y la temperatura de crecimiento en el rango de 1140 − 1200 ◦C en el crecimiento de las películas de AlN. De los resultados obtenidos de las distintas experiencias se puede concluir en forma general y sólo para el rango de los valores utilizados para los distintos parámetros de crecimiento de AlN, que no es posible optimizar la calidad cristalina y la suavidad de la superficie de las películas al mismo tiempo con sólo variar un parámetro de crecimiento.
author2 Juan, Alfredo
author_facet Juan, Alfredo
Ferreyra, Romualdo A.
format tesis doctoral
author Ferreyra, Romualdo A.
author_sort Ferreyra, Romualdo A.
title Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
title_short Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
title_full Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
title_fullStr Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
title_full_unstemmed Semiconductores III-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
title_sort semiconductores iii-nitruros : interfaces y aplicaciones tecnológicas
publishDate 2010
url http://repositoriodigital.uns.edu.ar/handle/123456789/2223
work_keys_str_mv AT ferreyraromualdoa semiconductoresiiinitrurosinterfacesyaplicacionestecnologicas
bdutipo_str Repositorios
_version_ 1764820505350635521

Ejemplares similares