Influencia de la difusión de aluminio y fósforo sobre la vida media de portadores minoritarios en obleas de silicio cristalino

Mostrar todas las versiones(2)

Los procesos de difusión de dopantes utilizados en la elaboración de dispositivos fotovoltaicos de Si cristalino pueden promover mecanismos de atrapamiento de impurezas. Entre las técnicas habituales se destacan la difusión de P, como dopante tipo <i>n</i>, a partir de fuente líquida de...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Martínez Bogado, Mónica Gladys, Tamasi, Mariana Julia Luisa, Plá, Juan Carlos, Bolzi, Claudio Gustavo, Durán, Julio César
Formato: Articulo
Lenguaje:Español
Publicado: 2000
Materias:
Ingeniería
Ciencias Exactas
Física
Celdas Solares
alta eficiencia
gettering
OCVD
vida media de portadores minoritarios
Silicio
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/79144
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata

Ejemplares similares

Ejemplares similares