Estudio experimental y de primeros principios de interacciones hiperfinas dinámicas en óxidos semiconductores dopados con impurezas (<sup>111</sup>In(EC)→)<sup>111</sup>Cd

Luego de la introducción, en el Capítulo 2 se presenta la teoría de las Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo y la técnica PAC. En el Capítulo 3 se describen los modelos utilizados en el análisis de los espectros PAC con presencia de interacciones hiperfinas dinámicas. En el...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Muñoz, Emiliano Luis
Otros Autores: Rentería, Mario
Formato: Tesis Tesis de doctorado
Lenguaje:Español
Publicado: 2011
Materias:
Ciencias Exactas
Física
Semiconductores
Cálculos
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2628
https://doi.org/10.35537/10915/2628
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata
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Cálculos
description Luego de la introducción, en el Capítulo 2 se presenta la teoría de las Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo y la técnica PAC. En el Capítulo 3 se describen los modelos utilizados en el análisis de los espectros PAC con presencia de interacciones hiperfinas dinámicas. En el Capítulo 4 se describen los métodos teóricos utilizados en este trabajo para calcular las propiedades estructurales y electrónicas y, en particular, el tensor GCE en el sitio de la impureza. En el Capítulo 5 se detallan las características de los óxidos estudiados y la preparación de las muestras. En el Capítulo 6 se analizan los resultados experimentales obtenidos en cada sistema. En el Capítulo 7 se describen los resultados de los cálculos ab initio obtenidos en cada óxido abordado. En el Capítulo 8 se comparan los resultados experimentales con las predicciones teóricas del GCE, se discuten las propiedades estructurales y electrónicas en cada semiconductor dopado y se elabora un modelo de interacciones hiperfinas dinámicas basado en medidas experimentales y cálculos ab initio. Finalmente, se presentan las conclusiones de esta Tesis.
author2 Rentería, Mario
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