Estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores

La presente tesis se origina en la posibilidad de alcanzar una mejor comprensión microscópica y teórica del comportamiento de semiconductores-dopados en presencia de H, por medio de una versión de FPLMTO21 que ha mostrado ser eficiente en la evaluación de fonones y parámetros hiperfinos. La utiliza...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Caravaca, María de los Ángeles D.
Otros Autores: Rodríguez, Carlos Osvaldo
Formato: Tesis Tesis de doctorado
Lenguaje:Español
Publicado: 1999
Materias:
Física
Hidrógeno
Semiconductores
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2470
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata
id I19-R120-10915-2470
record_format dspace
institution Universidad Nacional de La Plata
institution_str I-19
repository_str R-120
collection SEDICI (UNLP)
language Español
topic Física
Hidrógeno
Semiconductores
spellingShingle Física
Hidrógeno
Semiconductores
Caravaca, María de los Ángeles D.
Estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores
topic_facet Física
Hidrógeno
Semiconductores
description La presente tesis se origina en la posibilidad de alcanzar una mejor comprensión microscópica y teórica del comportamiento de semiconductores-dopados en presencia de H, por medio de una versión de FPLMTO21 que ha mostrado ser eficiente en la evaluación de fonones y parámetros hiperfinos. La utilización del <sup>111</sup>Cd como átomo sonda PAC en semiconductores covalentes y los estudios experimentales realizados sobre Cd-H:Si hacen de éste un prototipo del problema del hidrógeno formando complejos con impurezas aceptoras. Por tanto en este trabajo se propone: 1) Describir, mediante un estudio de primeros principios usando el full potential linear muffin tin orbital method (FPLMTO), las propiedades electrónicas del estado fundamental del Cd como impureza en silicio. Este estudio además de caracterizar al Cd en silicio de gran utilidad para PAC, por sus parámetros favorables para el estudio de la interacción cuadrupolar, reviste un interés adicional. El Cd actúa como un doble aceptor silicio, por lo tanto su comportamiento podría ser representativo de otros dobles aceptores del Grupo IIB Estos están bien caracterizados en Ge por el grupo de E.Haller (Berkeley) no así en Si. 2) Estudiar la impureza Cd formando complejos con hidrógeno en silicio (Cd-H:Si). Hallar las configuraciones de equilibrio locales, obtenidas con el H ubicado tanto en regiones de alta como de baja densidad electrónica. Obtener las frecuencias de vibración de algunos modos locales Predecir el gradiente de campo eléctrico y la constante de acoplamiento cuadrupolar en el sitio del Cd, en cada una de las configuraciones de energía mínima encontradas. Corroborar las configuraciones geométricas propuestas en los trabajos experimentales.
author2 Rodríguez, Carlos Osvaldo
author_facet Rodríguez, Carlos Osvaldo
Caravaca, María de los Ángeles D.
format Tesis
Tesis de doctorado
author Caravaca, María de los Ángeles D.
author_sort Caravaca, María de los Ángeles D.
title Estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores
title_short Estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores
title_full Estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores
title_fullStr Estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores
title_full_unstemmed Estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores
title_sort estructura electrónica e interacciones hiperfinas de impurezas en semiconductores
publishDate 1999
url http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2470
work_keys_str_mv AT caravacamariadelosangelesd estructuraelectronicaeinteraccioneshiperfinasdeimpurezasensemiconductores
bdutipo_str Repositorios
_version_ 1764820466167447553

Ejemplares similares