Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia
Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la carac...
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| Formato: | Articulo |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1999
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/157788 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis. |
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