Darriba, G. N., Rentería, M., & Vianden, R. (2016). “After-effects” in ¹¹¹In(®¹¹¹Cd)-doped Al₂O₃ semiconductor: A modelization from first principles.
Cita Chicago Style (17a ed.)Darriba, Germán Nicolás, Mario Rentería, y R. Vianden. “After-effects” in ¹¹¹In(®¹¹¹Cd)-doped Al₂O₃ Semiconductor: A Modelization from First Principles. 2016.
Cita MLA (8a ed.)Darriba, Germán Nicolás, et al. “After-effects” in ¹¹¹In(®¹¹¹Cd)-doped Al₂O₃ Semiconductor: A Modelization from First Principles. 2016.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.