Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica
El ZnO y el NiO son semiconductores del grupo II-VI tipo-n y del grupo VII-VI tipo-p, respectivamente. Ambos semiconductores tienen un elevado gap óptico. Los recubrimientos de óxido de zinc dopados o en aleación con metales de transición tiene múltiples aplicaciones como piezoeléctricos, transducto...
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| Autores principales: | , , , |
|---|---|
| Formato: | Objeto de conferencia |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2021
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/122044 |
| Aporte de: |
| id |
I19-R120-10915-122044 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| institution |
Universidad Nacional de La Plata |
| institution_str |
I-19 |
| repository_str |
R-120 |
| collection |
SEDICI (UNLP) |
| language |
Español |
| topic |
Química Recubrimientos cerámicos Nebulización pirolítica Fotoluminiscencia |
| spellingShingle |
Química Recubrimientos cerámicos Nebulización pirolítica Fotoluminiscencia Moringo, Luis Ezequiel Richard, Diego Vaveliuk, Pablo Tejerina, Matías Rubén Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica |
| topic_facet |
Química Recubrimientos cerámicos Nebulización pirolítica Fotoluminiscencia |
| description |
El ZnO y el NiO son semiconductores del grupo II-VI tipo-n y del grupo VII-VI tipo-p, respectivamente. Ambos semiconductores tienen un elevado gap óptico. Los recubrimientos de óxido de zinc dopados o en aleación con metales de transición tiene múltiples aplicaciones como piezoeléctricos, transductores, guías de onda ópticas, electrodos transparentes, celdas solares y diodos1,2.
En este trabajo presentamos una caracterización de recubrimientos ZnO/NiO fabricados por sol-gel spray-pyrolysis. Esta técnica consiste en pulverizar una solución que contiene el ion base sobre un sustrato que se mantiene a elevada temperatura (Fig. 1(a)). Si bien el proceso posee algunas dificultades intrínsecas para lograr recubrimientos de baja porosidad (menor al 5 %) por la formación de gotas, el mismo es de especial interés ya que permite escalar el proceso a grandes áreas (>30 cm2) y a bajo costo debido a la simplicidad del montaje y a que puede operar a presión atmosférica. Se obtuvieron capas de considerable porosidad y se correlacionó la actividad speckle con su espesor para distintas composiciones, Además, se caracterizaron empleando las técnicas Difracción de Rayos X, fotoluminiscencia y Transmitancia. |
| format |
Objeto de conferencia Objeto de conferencia |
| author |
Moringo, Luis Ezequiel Richard, Diego Vaveliuk, Pablo Tejerina, Matías Rubén |
| author_facet |
Moringo, Luis Ezequiel Richard, Diego Vaveliuk, Pablo Tejerina, Matías Rubén |
| author_sort |
Moringo, Luis Ezequiel |
| title |
Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica |
| title_short |
Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica |
| title_full |
Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica |
| title_fullStr |
Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica |
| title_full_unstemmed |
Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica |
| title_sort |
fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica |
| publishDate |
2021 |
| url |
http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/122044 |
| work_keys_str_mv |
AT moringoluisezequiel fotoluminiscenciayactividadspeckleencapasdelgadassemiconductorasparaoptoelectronica AT richarddiego fotoluminiscenciayactividadspeckleencapasdelgadassemiconductorasparaoptoelectronica AT vaveliukpablo fotoluminiscenciayactividadspeckleencapasdelgadassemiconductorasparaoptoelectronica AT tejerinamatiasruben fotoluminiscenciayactividadspeckleencapasdelgadassemiconductorasparaoptoelectronica |
| bdutipo_str |
Repositorios |
| _version_ |
1764820449353531393 |