Interacciones hiperfinas de ¹¹¹Cd en monocristales de InSe

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El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de“switching” que posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfmas de impurezas áceptoras de Cd, se llevaron a Cabo determinaciones de las interacciones cuadru...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Shitu, Jorge Alejandro, Damonte, Laura Cristina, Mendoza Zélis, Luis Alejandro, Pasquevich, Alberto Felipe, Sánchez, Francisco Homero, Marí, B.
Formato: Articulo
Lenguaje:Español
Publicado: 1994
Materias:
Física
Compuesto InSe
Switching
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/121468
https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/1375
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata
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description El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de“switching” que posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfmas de impurezas áceptoras de Cd, se llevaron a Cabo determinaciones de las interacciones cuadrupolares eléctricas de impurezas de ¹¹¹Cd en muestras mono y policristalinas de InSe, utilizando como técnica experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas. Se comparan los resultados obtenidos experimentalmente con cálculos teóricos realizados usando un modelo de cargas puntuales.
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