Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K
Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo f...
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Formato: | Objeto de conferencia |
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
2011
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Ingeniería MOS devices High-K gate dielectrics Electron traps Sambuco Salomone, Lucas Carbonetto, Sebastián García Inza, Mariano Lipovetzky, José Redín, Eduardo Gabriel Campabadal, Francesca Faigón, Adrián Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K |
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Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo físico basado en un frente de túnel es propuesto con el fin de explicar los resultados obtenidos y poder extraer los parámetros físicos asociados, como la densidad y distribución energética de las trampas responsables de dichos fenómenos de captura. |
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