Resistive switching phenomena in TiOx nanoparticle layers for memory applications

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Electrical characteristics of a Co/ TiOx/Co resistive memory device, fabricated by two different methods, are reported. In addition to crystalline TiO2 layers fabricated via conventional atomic layer deposition (ALD), an alternative method has been examined, where TiOx nanoparticle layers were fabri...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Goren, E.
Otros Autores: Ungureanu, M., Zazpe, R., Rozenberg, M., Hueso, L.E, Stoliar, P., Tsur, Y., Casanova, F.
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:Inglés
Publicado: American Institute of Physics Inc. 2014
Acceso en línea:Registro en Scopus
DOI
Handle
Registro en la Biblioteca Digital
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
Biblioteca Central Dr. Luis F. Leloir (FCEN) de Universidad de Buenos Aires

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