Transistores de efecto de campo [FETs].

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Hernández M., Jorge E.
Formato: Artículo
Lenguaje:Español
Publicado: Pereira Publicaciones Cekit
Materias:
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
LEADER 00687nab a22002417a 4500
001 A0002257
003 AR-OvUNE
005 20180807210900.0
006 a||||| 00| 0
007 ta
008 021119n xx ||||| 00| 0 spad
022 |a 0121-9138 
040 |a AR-OvUNE  |c AR-OvUNE 
100 1 |a Hernández M., Jorge E.  |9 19211 
245 1 0 |a Transistores de efecto de campo [FETs]. 
260 2 |b Publicaciones Cekit  |a Pereira 
300 |a p.22-25 
650 4 |a FETs  |9 24784 
650 4 |a TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 
773 0 |t Electrónica & Computadores  |g no.29, ene.1998 
942 |c AN  |2 udc 
945 |c Registro migrado.  |a bcr  |b Nro. acceso original: A0002257 
999 |c 8693  |d 8693