Cavidades �opticas con perfil recto y parab�olico del �indice de refracci�on en l�aseres de AlGaAs e InGaN

En la tesis se presenta un estudio sobre la influencia que tiene en los par�ametros �opticos de los l�aseres semiconductores de Al Ga x 1-x As e In Ga x 1-x N las caracter�isticas de la cavidad �optica, evalu�andose los perfiles rectos y parab�olicos del �indice de refracci�on. Se concluye que para...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Mart�in Alfonso, Juan Antonio
Autor Corporativo: e-libro, Corp
Otros Autores: S�anchez Colina, Mar�ia (tut.), Garc�ia Reina, Francisco (tut.)
Formato: Libro electrónico
Lenguaje:Español
Publicado: Ciudad de la Habana : Editorial Universitaria, 2007.
Materias:
F�isica.
�Optica.
Physics.
Lasers.
Laseres
Libros electr�onicos.
Acceso en línea:https://elibro.net/ereader/ufasta/90024
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
Biblioteca Universitaria H. Wast (UFASTA) de Universidad FASTA
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260 |a Ciudad de la Habana :  |b Editorial Universitaria,  |c 2007. 
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520 |a En la tesis se presenta un estudio sobre la influencia que tiene en los par�ametros �opticos de los l�aseres semiconductores de Al Ga x 1-x As e In Ga x 1-x N las caracter�isticas de la cavidad �optica, evalu�andose los perfiles rectos y parab�olicos del �indice de refracci�on. Se concluye que para un �unico pozo cu�antico en la zona activa la estructura recta es la que alcanza mayores valores del factor de confinamiento, pero a medida que aumenta la cantidad de pozos se alterna el dominio de una u otra estructura hasta que finalmente la parab�olica alcanza los mayores valores. En lo referido al ancho angular del campo lejano generalmente la estructura parab�olica presenta los mejores resultados. Tambi�en se comprob�o que un aumento del espesor de las capas cladding favorece el comportamiento de los par�ametros �opticos, pero se determin�o que estos par�ametros tambi�en pueden optimizarse con una adecuada combinaci�on de los espesores de las capas que forman la cavidad �optica, reduci�endose as�i el efecto de las anti-gu�ias que se forman en los l�aseres en base a In Ga x 1-x N debido a la dificultad tecnol�ogica para crecer capas cladding de Al Ga x 1-x As muy anchas. Finalmente se obtienen los valores de espesor, contenido de aluminio y posici�on de la capa de Al Ga x 1-x As, usada para el bloqueo de electrones en las estructuras rectas en base a In Ga x 1-x N, que optimizan los par�ametros �opticos de la cavidad l�aser. En general se concluye que esta capa tiene una influencia positiva en la disminuci�on del ancho angular pero sin superar los resultados que en tal sentido se logran con la estructura parab�olica. 
533 |a Recurso electr�onico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible v�ia World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro. 
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