Crecimiento de pel�iculas de di�oxido de titanio con un arco cat�odico funcionalizaci�on de superficies /

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El di�oxido de titanio es extensamente investigado debido a sus excepcionales propiedades el�ectricas, �opticas y f�isico-qu�imicas que lo convierten en un material apto para una gran variedad de aplicaciones. El empleo de pel�iculas delgadas de TiO2 como material sensitivo en sensores de gases t�ox...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Kleiman, Ariel Javier
Autor Corporativo: e-libro, Corp
Formato: Tesis Libro electrónico
Lenguaje:Español
Publicado: Buenos Aires, Argentina : Universidad de Buenos Aires, 2011.
Materias:
F�isica.
F�isica de los materiales.
Physics.
Materials.
Libros electr�onicos.
Acceso en línea:https://elibro.net/ereader/ufasta/86096
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
Biblioteca Universitaria H. Wast (UFASTA) de Universidad FASTA
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245 1 0 |a Crecimiento de pel�iculas de di�oxido de titanio con un arco cat�odico  |h [recurso electronico] :  |b funcionalizaci�on de superficies /  |c Ariel Javier Kleiman ; director: Adriana M�arquez. 
260 |a Buenos Aires, Argentina :  |b Universidad de Buenos Aires,  |c 2011. 
300 |a 122 p. 
502 |a Doctor de la Universidad de Buenos Aires en el �area de Ciencias F�isicas. 
520 |a El di�oxido de titanio es extensamente investigado debido a sus excepcionales propiedades el�ectricas, �opticas y f�isico-qu�imicas que lo convierten en un material apto para una gran variedad de aplicaciones. El empleo de pel�iculas delgadas de TiO2 como material sensitivo en sensores de gases t�oxicos, y su utilizaci�on como fotocatalizadores para la degradaci�on de contaminantes en agua, se encuentran entre las �areas m�as investigadas sobre este material semiconductor. El TiO2 cristaliza principalmente en tres estructuras diferentes: rutilo, anatasa y brookita; siendo la anatasa, fase meta-estable, la que presenta mejor rendimiento en las aplicaciones mencionadas. La producci�on de films de TiO2 ha sido desarrollada mediante una gran variedad de t�ecnicas de deposici�on, entre las cuales se encuentran los arcos cat�odicos. En estos equipos se genera una descarga de alta corriente y baja tensi�on entre dos electrodos inmersos en una c�amara de vac�io. Material del c�atodo es ionizado y eyectado hacia adelante, formando un haz de iones met�alicos. Al inyectar gases reactivos a baja presi�on, los iones met�alicos pueden combinarse qu�imicamente con las part�iculas del gas. Colocando un sustrato frente al c�atodo, una variedad de recubrimientos pueden ser obtenidos. La estructura de las pel�iculas de TiO2 obtenidas con esta t�ecnica depende fuertemente de la temperatura del sustrato durante el crecimiento del film y de la energ�ia de los iones involucrados. En el presente trabajo se obtuvieron, por arco cat�odico, pel�iculas delgadas de TiO2 sobre sustratos de vidrio y de silicio. Los films resultaron uniformes, compactos y con buena adhesi�on al sustrato. Los mismos fueron crecidos en fase anatasa a 400 oC, o en fase amorfa a temperatura ambiente, y luego cristalizados en fase anatasa mediante un tratamiento t�ermico. La estructura de las pel�iculas fue analizada por difracci�on de rayos X y espectroscop�ia Raman. El espesor y la densidad de los recubrimientos fueron determinados mediante reflectometr�ia de rayos X (XRR). Para las densidades se obtuvieron valores en el rango 3,88 - 4,13 g/cm3, cercanos al valor tabulado para la anatasa. Los espesores dependieron del tiempo de exposici�on a la descarga, observ�andose una tasa de deposici�on de ~ 2,7 nm/s. Las se�nales de XRR fueron ajustadas, con buen acuerdo, por se�nales simuladas considerando una capa de agua adsorbida sobre los films. La morfolog�ia superficial de los recubrimientos fue estudiada por microscop�ia de barrido electr�onico y de fuerza at�omica. Los films crecidos a 400 oC presentaron un menor tama�no de grano, y una menor rugosidad, que los films obtenidos a temperatura ambiente. Asimismo, estas magnitudes resultaron menores en los recubrimientos realizados sobre vidrio respecto de los depositados sobre silicio. Considerando todos los casos, los tama�nos de grano estuvieron en el rango 15 - 100 nm. Se estudiaron tambi�en propiedades �opticas de los films en el rango visible, sin observarse diferencias significativas entre las muestras crecidas a diferentes temperaturas. 
533 |a Recurso electr�onico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible v�ia World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro. 
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