Electrónica física y modelos de circuitos de transistores. Tomo 2 /
Dispositivos semiconductores de unión - Funcionamiento físico de los diodos de unión pn - Comportamiento en c.c. de los diodos de inión pn - Otros efectos en los diodos de unión pn - Comportamiento dinámico de los diodos de unión pn - Modelos con constates localizadas para los diodos de unión - Est...
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Autor Corporativo: | |
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Otros Autores: | , , , |
Formato: | Libro |
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
Barcelona :
Reverté,
1978.
|
Colección: | SEEC Semiconductor Electronics Education Committe ;
Tomo 2 |
Materias: | |
Aporte de: | Registro referencial: Solicitar el recurso aquí |
LEADER | 02377Cam#a22003733a#4500 | ||
---|---|---|---|
001 | INGC-MON-06445 | ||
003 | AR-LpUFI | ||
005 | 20221019003233.0 | ||
008 | 060510s1978 |||a fr||||| |0 0|spa d | ||
020 | |a 8429134409 | ||
020 | |a 8429134425 | ||
080 | |a 621.38 | ||
245 | 1 | 0 | |a Electrónica física y modelos de circuitos de transistores. Tomo 2 / |c Paul E. Gray...[et al.]. |
260 | |a Barcelona : |b Reverté, |c 1978. | ||
300 | |a xx ; 264 p. : |b il. | ||
490 | |a SEEC Semiconductor Electronics Education Committe ; |v Tomo 2 | ||
520 | 2 | |a Dispositivos semiconductores de unión - Funcionamiento físico de los diodos de unión pn - Comportamiento en c.c. de los diodos de inión pn - Otros efectos en los diodos de unión pn - Comportamiento dinámico de los diodos de unión pn - Modelos con constates localizadas para los diodos de unión - Estructura y funcionamiento de los transistores - Modelos de transistor para señales de poca amplitud - Modelo de Ebers-Moll para la característica tensión-intensidad de un transistor - Modelos de transistor para conmutaciones dinámicas - Apéndices. | |
599 | |a E2391 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.1 SALA Otro Inv.8691;E2517 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.2 PRES;E2646 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.3 PRES COM Precio $760 Otro Inv.8789;E3211 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.4 PRES DON;E3228 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.5 PRES DON;29209 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.6 PRES DON;E3167 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.7 PRES | ||
650 | 1 | 4 | |a ELECTRONICA |9 263321 |
650 | 1 | 4 | |a TRANSISTORES |9 264742 |
650 | 1 | 4 | |a SEMICONDUCTORES |9 265167 |
700 | 1 | |a Gray, Paul E. |9 274814 | |
700 | 1 | |a DeWitt, David P. |9 276132 | |
700 | 1 | |a Boothroyd, A. R. |9 276260 | |
700 | 1 | |a Gibbons, James F. |9 276261 | |
710 | 2 | |a Semiconductor Electronics Education Committee. |g SEEC . |9 276262 | |
929 | |a E2391 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.1 SALA Otro Inv.8691 Ed.1976;E2517 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.2 PRES;E2646 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.3 PRES COM Precio $760 Otro Inv.8789;E3211 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.4 PRES DON;E3228 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.5 PRES DON Ed.1970;29209 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.6 PRES DON;E3167 Tomo:II Ubic.:621.38 SEE Ej.7 PRES | ||
942 | |c LIB |6 _ | ||
959 | |a MON | ||
960 | |a 6741 | ||
970 | |a Registro convertido en forma automatizada | ||
990 | |a GBY | ||
999 | |c 6443 |d 6443 | ||
040 | |a AR-LpUFI |c AR-LpUFI |