Dispositivos electrónicos : Vol. 1 /
Transistor bipolar de unión - Régimen estacionario - Zonas de funcionamiento. Características estáticas. Modelos equivalentes - El transistor bipolar real - Polarización del transistor bipolar - Disipación de potencia y especificaciones de un transistor bipolar - El transistor como amplificador - Mo...
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Autor principal: | |
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Formato: | Libro |
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
La Plata :
CEILP,
2004.
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Materias: | |
Aporte de: | Registro referencial: Solicitar el recurso aquí |
LEADER | 01322Cam#a22002053a#4500 | ||
---|---|---|---|
001 | INGC-MON-017690 | ||
003 | AR-LpUFI | ||
005 | 20221019005442.0 | ||
008 | 110309s2004||||ag |||||||||||||||||spa d | ||
040 | |a AR-LpUFI |b spa |c AR-LpUFI | ||
080 | |a 621.38 | ||
100 | 1 | |a Gonzalez, Mónica L. |9 289717 | |
245 | 1 | 0 | |a Dispositivos electrónicos : |b Vol. 1 / |c Mónica L. Gonzalez. |
260 | |a La Plata : |b CEILP, |c 2004. | ||
300 | |a 198 p. : |b diagr. | ||
520 | 2 | |a Transistor bipolar de unión - Régimen estacionario - Zonas de funcionamiento. Características estáticas. Modelos equivalentes - El transistor bipolar real - Polarización del transistor bipolar - Disipación de potencia y especificaciones de un transistor bipolar - El transistor como amplificador - Modelo equivalente híbrido para el análisis en pequeña señal - El transistor bipolar en alta frecuencia. Modelo híbrido - El transistor bipolar en conmutación - Transistor de efecto de campo (FET) - Transistor de efecto de campo metal-semiconductor - El transistor MOSFET - Estructura básica de un transistor MOSFET - Transistor MOS complementario: CMOS - Apéndice. | |
650 | 4 | |a DISPOSITIVOS ELECTRONICOS |9 263908 | |
929 | |a 38300/38301 DON Ambrosi; 39075 DON Barragán; 40725 DON Nicola; 41096 DON Zudaire | ||
942 | |c LIB |6 _ | ||
999 | |a GEB |c 17687 |d 17687 |