Compound semiconductor bulk materials and characterizations /

Physical properties - Crystal growth methods - Principles of crystal growth - Defects - Characterization - Applications - GaP - GaAs - GaSb - InP - InAs - InSb - CdS - CdSe - CdTe - ZnS - ZnSe - ZnTe.

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Oda, Osamu
Formato: Libro
Lenguaje:Inglés
Publicado: New Jersey : World Scientific, c2007.
Materias:
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
LEADER 01254Cam#a22003133a#4500
001 INGC-MON-017024
003 ARLp-UFI
005 20221019005323.0
008 071219s2007 njua b 001 0 eng c
010 |a  2007300280 
020 |a 9810217285 
020 |a 9789810217280 
035 |a (OCoLC)ocm71681096 
040 |a AR-LpUFI  |c AR-LpUFI  |d BAKER  |d BTCTA  |d YDXCP  |d ZCU  |d DLC  |d ARLp-UFI 
042 |a pcc 
050 0 0 |a TK7871.99.C65  |b O33 2007 
080 |a 621.382 
100 1 |a Oda, Osamu.   |9 300940 
245 1 0 |a Compound semiconductor bulk materials and characterizations /  |c Osamu Oda. 
260 |a New Jersey :  |b World Scientific,  |c c2007. 
300 |a xv, 538 p. :   |b il ;   |c 26 cm. 
520 2 |a Physical properties - Crystal growth methods - Principles of crystal growth - Defects - Characterization - Applications - GaP - GaAs - GaSb - InP - InAs - InSb - CdS - CdSe - CdTe - ZnS - ZnSe - ZnTe. 
650 4 |a SEMICONDUCTORES  |9 265167 
906 |a 7  |b cbc  |c pccadap  |d 2  |e ncip  |f 20  |g y-gencatlg 
925 0 |a acquire  |b 2 shelf copies  |x policy default 
929 |a 37178 COM Tesoro Nacional 2009 
942 |c LIB  |6 _ 
955 |a ps09 2007-12-19 z-processor to ASCD  |i jx12 2008-01-09  |e jx12 2008-01-09 to Dewey  |a aa07 2008-05-21 
999 |a GEB  |c 17022  |d 17022