Progress in semiconductors. /

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Otros Autores: Gibson, Alan F. (ed.)
Formato: Publicación periódica
Lenguaje:Inglés
Publicado: New York : J. Wiley, 1960-1964.
Materias:
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
LEADER 01142cas#a2200253ua#4500
001 RCBCCAB015845
008 921205u19601964nyu#u#########0####0eng##
005 20110303151643.0
003 AR-BCCAB
245 0 0 |a Progress in semiconductors. /  |c General editor Alan F. Gibson. 
260 # # |a New York :  |b J. Wiley,  |c 1960-1964. 
300 # # |a v. 4-8 :  |b il. ;  |c 24 cm. 
310 # # |a Desconocido 
505 0 # |a vol. 4. Negative effective masses in semiconductors -- vol. 5. The electrical properties of semiconductor surfaces -- vol. 6. Plastic deformation of semiconductors -- vol. 7. Bismuth -- The electrical conductivity of germanium 
700 1 # |a Gibson, Alan F.,  |e ed. 
650 # 0 |a Semiconductors. 
010 # # |a ###56059221# 
040 # # |a DLC  |b spa  |c CarP  |d DLC  |d arbccab 
942 # # |c CR 
952 # # |2 udc  |a ARBCCAB  |b ARBCCAB  |i 20962  |o HEMEROTECA Vol.4  |p 20962  |t 1  |y CR 
952 # # |2 udc  |a ARBCCAB  |b ARBCCAB  |i 20963  |o HEMEROTECA Vol.5  |p 20963  |t 2  |y CR 
952 # # |2 udc  |a ARBCCAB  |b ARBCCAB  |i 20964  |o HEMEROTECA Vol.6  |p 20964  |t 3  |y CR 
952 # # |2 udc  |a ARBCCAB  |b ARBCCAB  |i 20965  |o HEMEROTECA Vol.7  |p 20965  |t 4  |y CR 
952 # # |2 udc  |a ARBCCAB  |b ARBCCAB  |i 20966  |o HEMEROTECA Vol.8  |p 20966  |t 5  |y CR