HfO2 based memory devices with rectifying capabilities

por Quinteros, C., Zazpe, R., Marlasca, F.G., Golmar, F., Casanova, F., Stoliar, P., Hueso, L., Levy, P., GIA, GAIANN, CAC-CNEA. San Martín, Bs. As, AR, CIC nanoGUNE. Donostia-San Sebastián, ES, INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires, AR, IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao, ES, Université de Nantes. IMN, CNRS. Nantes, FR, ECyT, UNSAM. San Martín, Bs. As., AR
Publicado 2014