Electronic structure and properties of NbS2 and TiS2 low dimensional structures

Fil:Llois, A.M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Güller, F., Helman, C., Llois, A.M.
Formato: JOUR
Materias:
Dichalcogenides
Graphene like
Low dimension
Crystal structure
D region
Electronic properties
Electronic structure
Graphene
Magnetism
Niobium compounds
Selenium compounds
Tellurium compounds
Titanium compounds
Transition metals
Van der Waals forces
Graphene likes
Low dimensional structure
Magnetic and electronic properties
Technological applications
Transition metal dichalcogenides
Van Der Waals interactions
Sulfur compounds
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/20.500.12110/paper_09214526_v407_n16_p3188_Guller
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
Descripción
Sumario:Fil:Llois, A.M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.

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