Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición...
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| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2010
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p056 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato |
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