Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales

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En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Garcés, Felipe Andrés, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussán Cuenca, Anderson, Koropecki, R. R., Arce, Roberto Delio
Lenguaje:Español
Publicado: 2010
Materias:
DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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