Estudio del crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopía de electrones Auger y análisis de componentes principales
Hemos estudiado el crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopía de electrones Auger (EEA) y análisis de componentes principales (ACP). El ACP revela la existencia de 3 componentes independientes. Los espectros correspondientes a las dos primeras bases tienen la misma forma, desplazados una...
Guardado en:
| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1994
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p249 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Hemos estudiado el crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopía de electrones Auger (EEA) y análisis de componentes principales (ACP). El ACP revela la existencia de 3 componentes independientes. Los espectros correspondientes a las dos primeras bases tienen la misma forma, desplazados una respecto de la otra 0.6 eV. Este no es compatible con un corrimiento continuo sino con la existencia de un desdoblamiento de la señal de K en dos componentes, este desdoblamiento sugiere la existencia de sitios de adsorción inequivalentes en el GaAs o bien un efecto importante de la interacción K-K en la formación de agregados atómicos. La tercer componente que aparece desde el comienzo de la evaporación revela que la interfase es reactiva |
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