Interdifusión en películas de HG₁₋ₓCdₓTe sobre Cd Te

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Se crecen películas de HG₁₋ₓCdₓTe (MCT) con x=0,2 por la técnica de VPE (epitaxia en fase vapor) sobre CdTe orientado (111)Te, (111)Cd, (110) y (110), en un rango de temperaturas (593± 1)°C<T<(615±1)°C con una sobre-presión de HG de 1,9atm. Los "Films" se caracterizaron estructural y...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Trigubo, Alicia B., Walsoe de Reca, N. E.
Lenguaje:Español
Publicado: 1992
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p270
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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