Efectos de las polarizabilidades electrónicas sobre los corrimientos y anchos de línea de fonones anarmónicos en cristales iónicos
Aplicamos un formalismo perturbativo desarrollado anteriormente para un modelo de capas anarmónico al cálculo de corrimientos y anchos de línea fonónicos en un modelo unidimensional simple de un sólido con iones polarizables. Analizamos estas propiedades para diferentes puntos k de la Zona de Brillo...
Guardado en:
| Autores principales: | , , |
|---|---|
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1992
|
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p253 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Aplicamos un formalismo perturbativo desarrollado anteriormente para un modelo de capas anarmónico al cálculo de corrimientos y anchos de línea fonónicos en un modelo unidimensional simple de un sólido con iones polarizables. Analizamos estas propiedades para diferentes puntos k de la Zona de Brillouin y también como función de la temperatura para k fijo. Comparamos los resultados para distintos valores de la constante de acoplamiento capa' carozo g con los obtenidos por un modelo de ión rígido (g -> ∞). Mostramos que la polarizabilidad electrónica de los iones conduce a modificaciones significativas de las dependencias en k, como así también, de la relación entre los corrimientos y los anchos de línea. Damos una interpretación de las discrepancias entre la experiencia y la teoría de fonones anarmónicos en el Silicio. Finalmente, mencionamos algunas futuras aplicaciones |
|---|