Estudio de la cinética de oxidación de GaAs(100) a presión atmosférica mediante Espectroscopia de Electrones Auger
En este trabajo se estudia a través de Espectroscopía de Electrones Auger (EEA) y de perfiles de concentraciones en profundidad por bombardeo con iones de Arᶧ, la evolución de una muestra de GaAs(100) tipo "Epi-ready” a presión atmosférica. Además, con propósitos comparativos se estudia la evol...
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| Autores principales: | , , , , |
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| Formato: | Artículo publishedVersion |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Asociación Física Argentina
1997
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v09_n01_p235 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo se estudia a través de Espectroscopía de Electrones Auger (EEA) y de perfiles de concentraciones en profundidad por bombardeo con iones de Arᶧ, la evolución de una muestra de GaAs(100) tipo "Epi-ready” a presión atmosférica. Además, con propósitos comparativos se estudia la evolución de muestras de GaAs(100) preparadas bajo dos procesos conocidos de pre-tratamiento químico. Los resultados muestran que la señal de oxígeno para la superficie "Epi-ready" evoluciona durante un tiempo de 5 meses. El incremento en la intensidad de la señal de oxígeno va acompañado por un corrimiento de un frente de oxidación a medida que se incrementa la exposición. Este comportamiento puede observarse mediante indicadores obtenidos a partir del estudio de la forma de línea de los espectros Auger de baja energía de GaAs. Por otro lado, la muestra “Epi-ready" presenta una capa de óxido superficial previo a la exposición al aire, y las muestras pre-tratadas muestran en la superficie una señal intensa de As |
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