Salvatierra, L. M., Kovalevski, L. I., Dammig Quiña, P. L., Irurzun, I. M., Mola, E. E., & Herrera, L. A. (2019). Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT. Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional.
Cita Chicago Style (17a ed.)Salvatierra, Lucas Matías, Laura I. Kovalevski, Pablo L. Dammig Quiña, Isabel M. Irurzun, Eduardo E. Mola, y Luis Alberto Herrera. Comportamiento Mecánico Y Eléctrico De Un Gel De Silicona Empleado En El Encapsulamiento De Transistores De Potencia Tipo IGBT. Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional, 2019.
Cita MLA (8a ed.)Salvatierra, Lucas Matías, et al. Comportamiento Mecánico Y Eléctrico De Un Gel De Silicona Empleado En El Encapsulamiento De Transistores De Potencia Tipo IGBT. Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional, 2019.