Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si
La superlicie (001) de silicio ha sido objeto de numerosos estudios debido a sus interesantespropiedades, que aportan al avance de la física de semiconductores y a susaplicaciones en dispositivos microelectrónicos. Si(001) es además un buen candidato para usar como sustrato del crecimiento de capas...
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| Otros Autores: | |
| Formato: | Tesis doctoral publishedVersion |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
2001
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3341_Fu https://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n3341_Fu_oai |
| Aporte de: |
| Sumario: | La superlicie (001) de silicio ha sido objeto de numerosos estudios debido a sus interesantespropiedades, que aportan al avance de la física de semiconductores y a susaplicaciones en dispositivos microelectrónicos. Si(001) es además un buen candidato para usar como sustrato del crecimiento de capas delgadas de carbono amorfo, material que tiene una dureza comparable a la del diamante. En esta tesis se estudiaron tres problemas vinculados con esta superficie: 1. El movimiento de balanceo (flipping) de los dímeros de Si(001) y su correlación dinámica tanto en la superficie perfecta como en la presencia de defectos. El períodocaracterístico del balanceo y la correlación del movimiento de dímeros vecinos fueron investigados usando el método de simulación por dinámica molecular tight-binding. Losresultados fueron corroborados en parte por cálculos de primeros principios y tambiéncomparados con los obtenidos por un modelo de Ising bidimensional. Son importantespara la interpretación de imágenes obtenidas por STM a diferentes temperaturas. 2. La estabilidad y difusión de dímeros de Si adsorbidos sobre la superficie Si(001)a temperatura alta. Se observaron diferentes caminos y mecanismos de difusión en lasimulación por dinámica molecular. Los resultados se compararon con los de cálculos a 0Ky con los datos experimentales obtenidos por STM disponibles en la literatura. Tambiénse estimaron las energías de activación de algunos de estos procesos. 3. El depósito de carbono sobre Si(00l), tratando de simular el experirmmto realizado en Tandar. Con este propósito se propuso un modelo tight-binding para sistemas mixtos de Cy Si, a partir de los modelos conocidos para los materiales puros. Se observó la formaciónde una capa de SiC amorfo que sirve como interfaz para crecer sobre ella el carbonoamorfo duro, y se estudiaron sus propiedades estructurales y electrónicas. En particular,se lo caracterizó por su densidad, sus funciones de distribución radiales y angulares, suorden químico y su densidad de estados electrónicos. |
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