Estudio de la dinámica vibracional en estructuras semiconductoras emisoras de luz con confinamiento electrónico.
En este trabajo se estudió la dinámica vibracional de superredes semiconductoras de AlAs-GaAs crecidas epitaxialmente en la dirección [001]. Estas estructuras son el componente básico de distintos dispositivos tecnológicos y el funcionamiento de los mismos se encuentra ligado a procesos de intera...
Guardado en:
| Autor principal: | |
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| Formato: | Tesis NonPeerReviewed |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2013
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/431/1/1Soubelet.pdf |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo se estudió la dinámica vibracional de superredes semiconductoras de
AlAs-GaAs crecidas epitaxialmente en la dirección [001]. Estas estructuras son el componente
básico de distintos dispositivos tecnológicos y el funcionamiento de los mismos
se encuentra ligado a procesos de interacción entre portadores de carga y fonones.
Inicialmente, la caracterización de las muestras se llevo a cabo por medio de difracci
ón de rayos X, la cual permitió estimar la estructura real de las muestras utilizadas
así como la calidad con la que fueron fabricadas, mientras que por medio de
experimentos de fotoluminiscencia se estudiaron los estados electrónicos de los pozos
cuánticos asociados. Los parámetros obtenidos en esta caracterización, como el período
de las nanoestructuras, la velocidad efectiva del sonido y las energías de las transiciones
electrónicas entre estados connados, poseen gran importancia para entender el
comportamiento vibracional de las muestras utilizadas y son parámetros esenciales en
el diseño de dispositivos.
El estudio de la dinámica vibracional en el campo espectral se llevó a cabo utilizando
espectroscopía Raman, con la cual se accedió a información espectral de los
modos vibracionales presentes en estas estructuras y se estudió también el acoplamiento
de estos modos con los distintos estados electrónicos connados. Los experimentos
se realizaron tanto en geometría de retrodispersión en dirección normal a la supercie
de crecimiento, como en un nuevo esquema propuesto de dispersión hacia el frente, en
dirección paralela a los planos de la superred, utilizando para ello una geometría de
guía de onda. Por medio de esta conguración se accede a reglas de selección distintas
de las convencionales para la generación de fonones en la superred, observándose modos
transversales prohibidos en la geometría estándar. Para ambas geometrías, se estudió
el efecto Raman resonante, variando la energía del haz incidente en torno a la energía
de los estados electrónicos connados de los pozos cuánticos.
En un segundo paso, se estudió la dinámica de estos fonones directamente en el
espacio temporal por medio de la técnica de acústica de picosegundos mediante espectroscopía ultra-rápida. El método utilizado fue el de bombeo y sondeo (comúnmente
denominado pump-probe), donde se estudia la generación de coherente de fonones
acústicos por medio de la excitación impulsiva de las estructuras por pulsos láser
ultra-cortos. Estos experimentos también fueron realizados en torno a la energía de
los estados electrónicos connados de los pozos cuánticos y permitieron evaluar y estudiar
directamente en el espacio temporal la interacción entre los estados electrónicos
y vibracionales y los efectos de generación resonante de fonones acústicos. |
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