Efectos de impurezas, desorden y localización en grafeno-bicapa
En este trabajo se analizan las propiedades electrónicas del grafeno bicapa en su fase apilamiento de Bernal con impurezas de flúor a bajas concentraciones. Se considera el caso donde todas las impurezas se adsorben solamente en la capa superior suponiendo que el BLG se encuentra encima de...
Guardado en:
| Autor principal: | |
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| Formato: | Tesis NonPeerReviewed |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2014
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/1102/1/1Ojeda_Collado.pdf |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo se analizan las propiedades electrónicas del grafeno bicapa en su fase apilamiento de Bernal con impurezas de flúor a bajas concentraciones. Se considera el caso donde todas las impurezas se adsorben solamente en la capa superior suponiendo que el BLG se encuentra encima de un sustrato. Se estudian impurezas no magnéticas que por simplicidad modelamos con un solo orbital hibridizado con los estados p_z del átomo de carbono más cercano. Se analiza el efecto de las impurezas en la densidad de estados con y sin campo eléctrico aplicado perpendicular a las capas así como la localización de Anderson en diferentes regímenes estimando la longitud de localización en cada caso. El campo eléctrico abre un gap que se llena parcialmente con estados de impurezas fuertemente localizados lo cual permite ajustar el tamaño del gap y con ello controlar las propiedades electrónicas de nuestro sistema. La estructura, distribución y longitud de localización de estos estados depende de la polaridad del campo.
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