Dispositivos de fonones acústicos en nanoestructuras semiconductoras piezoeléctricas
En este trabajo estudiamos los efectos de la presencia de campos eléctricos internos permanentes, en heteroestructuras piezoeléctricas tensionadas, sobre la interacción entre luz y sonido. En ese sentido, proponemos que una novedosa interacción piezoel´ectrica inducida por campo eléctrico, para f...
Guardado en:
| Autor principal: | |
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| Formato: | Tesis NonPeerReviewed |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2005
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/101/1/1Rozas.pdf |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo estudiamos los efectos de la presencia de campos eléctricos internos
permanentes, en heteroestructuras piezoeléctricas tensionadas, sobre la interacción entre
luz y sonido. En ese sentido, proponemos que una novedosa interacción piezoel´ectrica
inducida por campo eléctrico, para fonones acústicos, puede ser importante en estructuras
de este tipo. Aprovechando las particulares propiedades vibracionales de superredes y
cavidades acústicas, diseñamos y estudiamos multicapas de GaInAs/AlAs crecidas en
direcciones [001] y [311], con la intención de demostrar esta hipótesis.
La caracterización ´optica de las heteroestructuras por medio de espectroscopia Raman
y fotoluminiscencia muestra que las mismas son de una excelente calidad, y permite
obtener parámetros importantes de las nanoestructuras, como son las velocidades del
sonido efectivas, períodos, y energías de transición electrónicas. Confirmamos mediante
estas técnicas la presencia de campos el´ectricos internos en la dirección [311], y los efectos
del apantallamiento por portadores fotoexitados en función de la potencia del láser
incidente, especialmente sobre una transición electrónica dipolar prohibida de los pozos
cuánticos. En particular, la espectroscopia Raman en condiciones de resonancia con esta
transición muestra una interacción entre luz y sonido fuertemente modificada, presentando
por primera vez evidencia de interacci´on inducida por campo eléctrico en fonones
acústicos replegados. |
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