Estudio del crecimiento de películas delgadas de Co sobre Si(100) y SiO<SUB>2</SUB>, así como su interacción con O<SUB>2</SUB>
El objetivo del presente trabajo es la preparación y caracterización de un modelo de catalizador que servirá luego para el estudio de reacciones sencillas sobre su superficie. El estudio de una reacción superficial requiere como punto de partida el conocimiento lo más detallado posible de la estruct...
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Tesis Tesis de doctorado |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2001
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/90094 https://doi.org/10.35537/10915/90094 |
| Aporte de: |
| Sumario: | El objetivo del presente trabajo es la preparación y caracterización de un modelo de catalizador que servirá luego para el estudio de reacciones sencillas sobre su superficie. El estudio de una reacción superficial requiere como punto de partida el conocimiento lo más detallado posible de la estructura y composición química de la superficie donde se va a llevar a cabo. El modelo de catalizador a estudiar consiste en una película de Co depositada sobre SiO<i>2</i> previamente formado sobre un monocristal de Si(100).
Para alcanzar este objetivo son necesarios varios pasos intermedios:
- Estudio del crecimiento de películas delgadas de Co sobre Si(100) a temperatura ambiente. Influencia de la composición del gas residual. Estabilidad frente al recocido a 700 K (temperatura común en procesos catalíticos).
- Estudio de la oxidación de Si (por bombardeo con iones oxígeno u otro procedimiento).
- Estudio de la formación de películas de Co sobre SiO<i>2</i>. Estabilidad térmica.
- Estudio de la adsorción de oxígeno en el sistema Co/SiO<i>2</i>/Si(100). Formación de óxidos de Co. |
|---|