Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup> y n<sup>+</sup>p, espesores entre 100 μm y 300 μm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 Ωcm y 10 Ω...
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| Autores principales: | , |
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| Formato: | Articulo |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2006
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/87750 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup> y n<sup>+</sup>p, espesores entre 100 μm y 300 μm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 Ωcm y 10 Ωcm, y en condiciones BOL (<i>beginning of life</i>) y EOL (<i>end of life</i>). Se analizó la influencia de la estructura de la celda, el espesor de la misma y el daño por radiación sobre la respuesta eléctrica de los dispositivos. Se encontró, entre otros resultados, que la pasivación es más efectiva que el BSF (<i>back surface field</i>) para combatir la recombinación superficial; además, una vez pasivada la c.p., el BSF introduce sólo una pequeña mejora. Asimismo, se observó el aumento de la resistencia al daño por radiación con la resistividad de la base ρ<sub>b</sub>, en paralelo a una cierta disminución de la eficiencia con ρ<sub>b</sub>. |
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