Propiedades estructurales y electrónicas de óxidos semiconductores con impurezas <SUP>181</SUP>Ta/<SUP>111</SUP>Cd diluídas : Estudio experimental y de primeros principios

Uno de los objetivos de este trabajo es la determinación de la magnitud y simetría del tensor GCE en óxidos semiconductores policristalinos y también la determinación de la orientación en el caso de óxidos monocristalinos, utilizando la espectroscopía PAC, con el fin de chequear las predicciones de...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Darriba, Germán Nicolás
Otros Autores:	Rentería, Mario
Formato:	Tesis Tesis de doctorado
Lenguaje:	Español
Publicado:	2009
Materias:	Ciencias Exactas óxidos semiconductores; propiedades estructurales y electrónicas Semiconductores Física
Acceso en línea:	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2619 https://doi.org/10.35537/10915/2619
Aporte de:	SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata

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