Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc

El presente trabajo pretende contribuir a profundizar el entendimiento de propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en sistemas huésped-impureza, mediante el empleo combinado de estas técnicas experimentales y teóricas aplicadas al estudio del semiconductor Sc2O3 puro y dopado con 111 Cd...

Descripción completa

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Richard, Diego
Otros Autores:	Rentería, Mario
Formato:	Tesis Tesis de grado
Lenguaje:	Español
Publicado:	2009
Materias:	Ciencias Exactas Física Cálculo semiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctrico Materia condensada
Acceso en línea:	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2193
Aporte de:	SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata

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