Estructura electrónica del Cd como impureza en Si

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Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Caravaca, María de los Ángeles D., Sferco, S. J., Passeggi, M. C. G.
Formato: Articulo
Lenguaje:Español
Publicado: 1990
Materias:
Física
Estados profundos
Correlación
Cd
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/143091
https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/1688
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata

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