Propiedades de circuitos elementales de los transistores. Tomo 3.

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor Corporativo: Semiconductor Electronics Education Committee
Otros Autores: Searle, Campbell L., Boothroyd, A. R., Angelo, E. James, Gray, Paul E.
Formato: Libro
Lenguaje:Español
Publicado: Barcelona : Reverté, 1978.
Colección:SEEC Semiconductor Electronics Education Committee; Tomo 3
Materias:
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
Tabla de Contenidos:
  • Electrónica física del transistor y modelos de circuito;Modelos de circuito correspondientes a las características Volt-Ampere del transistor;Determinación de los parámetros y propiedades de circuito del modelo híbrido;Dependencia entre los parámetros del modelo para señales débiles y las condiciones de funcionamiento;Circuitos de polarización del transistor: análisis y diseño;Cálculo de la respuesta en función de la frecuencia y de la respuesta a la variación en escalón;Configuración en base común y en colector común: modelos y propiedades;Amplificadores sintonizados;Comportamiento dinámico del transistor como conmutador