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Titulos:
Tetrahedrally bonded amorphous semiconductors
ISBN:
088318172X
Lugar de Edición:
New York :
Editor:
American Institute of Physics,
Fecha de Edición:
1981
Palabras clave:
SILICIO SEMICONDUCTOR; MATERIALES SEMICONDUCTORES

Leader:
cam
Campo 003:
AR-BaUFI
Campo 008:
980218s1981 xxua|||| |||||||||||eng|c
Campo 020:
^a088318172X
Campo 040:
^aAR-BaUFI^bspa
Campo 044:
^axxu^cus
Campo 245:
00^aTetrahedrally bonded amorphous semiconductors
Campo 246:
Campo 260:
^aNew York : ^bAmerican Institute of Physics, ^c1981
Campo 300:
^a338 p. : ^bil., gráfs., tablas ; ^c24 cm
Campo 490:
0 ^aAIP Conference Proceedings^v73
Campo 650:
7^aSILICIO SEMICONDUCTOR^2EIT^921687
Campo 650:
7^aMATERIALES SEMICONDUCTORES^2EIT^919690
Campo 700:
1 ^aKnights, John C.^eed.
Campo 700:
^aBiegelsen, D. K.^eed.^92115
Campo 700:
1 ^aStreet, R. A.^eed.
Proveniencia:
^aUBA - Facultad de Ingeniería - Biblioteca
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Institucion:
Universidad de Buenos Aires (UBA)
Dependencia:
Facultad de Ingeniería

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